肖鵬

Peng Xiao

博士

所屬學(xué)院：

物理與光電工程學(xué)院

導(dǎo)師類別：

碩士生導(dǎo)師

科研方向：

光電材料與器件

聯(lián)系方式：

[email protected]

碩士招生學(xué)院：

物理與光電工程學(xué)院

個(gè)人簡(jiǎn)述

(限300字)

肖鵬，副教授,，碩士生導(dǎo)師,。博士畢業(yè)于華南理工大學(xué),，主要致力于金屬氧化物薄膜晶體管（MO-TFT）及其在有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示（AMOLED）中的應(yīng)用相關(guān)研究,，主要包括新型MO材料的設(shè)計(jì)與開發(fā),、MO-TFT結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與器件制備,、界面物理,、界面修飾以及TFT-OLED顯示集成等,。目前的主要研究興趣為印刷電子,、新型光電材料及器件、柔性超級(jí)電容器等,。主持國(guó)家自然科學(xué)基金青年基金1項(xiàng),，廣東省自然科學(xué)基金博士啟動(dòng)項(xiàng)目1項(xiàng)，佛山市科技局項(xiàng)目1項(xiàng),、廣東高?？萍汲晒D(zhuǎn)化中心項(xiàng)目2項(xiàng)、佛山科學(xué)技術(shù)學(xué)院高層次人才科研啟動(dòng)項(xiàng)目1項(xiàng),，參與多項(xiàng)國(guó)家 863,、國(guó)家自然科學(xué)基金以及廣東省重大科技項(xiàng)目，發(fā)表高水平SCI收錄論文50余篇,，被引900余次,。擔(dān)任教育部學(xué)位論文評(píng)審專家,、國(guó)際高水平學(xué)術(shù)期刊ACS、IEEE,、PSS等雜志審稿人,。

教育背景

2016年6月  華南理工大學(xué) 材料物理與化學(xué)專業(yè)碩博連讀  獲工學(xué)博士學(xué)位

工作經(jīng)歷

2016年8月至今 佛山科學(xué)技術(shù)學(xué)院 物理與光電工程學(xué)院  學(xué)院紀(jì)委委員/光源與照明系教師黨支部副書記

主要榮譽(yù)

第十四屆“挑戰(zhàn)杯”中航工業(yè)全國(guó)大學(xué)生課外學(xué)術(shù)科技作品競(jìng)賽二等獎(jiǎng)、第十三屆“挑戰(zhàn)杯”廣東大學(xué)生課外學(xué)術(shù)科技作品競(jìng)賽特等獎(jiǎng),、優(yōu)秀黨務(wù)工作者,、優(yōu)秀班主任、年度考核優(yōu)秀等,。

主要論文

[1] High performance g-C₃N₄ @NiMoO₄ /CoMoO₄ electrode for supercapacitors, Journal of Solid State Chemistry, 2022, 307: 122845.

[2] High-performance quasi-solid-state flexible supercapacitors based on a flower-like NiCo metal–organic framework. RSC advances, 2022, 12(10): 5910-5918.

[3] Transition metal oxide electrode materials for supercapacitors: a review of recent developments. Nanomaterials, 2021, 11(5): 1248. （ESI高被引）

[4] Blue molecular emitter-free and doping-free white organic light-emitting diodes with high color rendering. IEEE Electron Device Letters, 2021, 42(3): 387-390.

[5] X-ray photoelectron spectroscopy analysis of the effect of photoresist passivation on InGaZnO thin-film transistors. Applied Surface Science, 2019, 471: 403-407.

[6] Back-channel-etched thin-film transistors with tunable acid-resistant Zr-doped indium oxide active layer. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 66(1): 464-469.

[7] High-mobility flexible thin-film transistors with a low-temperature zirconium-doped indium oxide channel layer. Physica Status Solidi Rapid Research Letters, 2016, 10(6): 493–497. 

[8] InGaZnO thin-film transistors modified by self-assembled monolayer with different alkyl chain length. IEEE Electron Device Letters, 2015, 36: 687.

[9] InGaZnO thin-film transistors with back channel modification by organic self-assembled monolayers. Applied Physics Letters, 2014, 104: 051607.

知識(shí)產(chǎn)權(quán)

[1] 一種同質(zhì)結(jié)薄膜晶體管, 專利申請(qǐng)?zhí)?/span>: 201821760959.5.

[2] 一種薄膜晶體管, 專利申請(qǐng)?zhí)?/span>: 201821760952.3.

[3] 一種背溝道修飾型氧化物薄膜晶體管及其制備, 專利申請(qǐng)?zhí)?/span>: 201721535844.1.

[4] 一種含超薄金屬氧化物薄膜介電層的晶體管, 專利申請(qǐng)?zhí)?/span>: 201721539588.3.

[5] 氧化物薄膜晶體管及其制備方法, 專利申請(qǐng)?zhí)?/span>: 201310249839.

[6] 一種氧化物薄膜晶體管及其制備方法, 專利申請(qǐng)?zhí)?/span>: 201410066332X.

科研項(xiàng)目

[1] 2022 廣東省科學(xué)技術(shù)廳,，“柔性顯示用高遷移率金屬氧化物薄膜晶體管材料及器件研究”，100萬(wàn),，參與單位負(fù)責(zé)人,；

[2] 2020 廣東高校科技成果轉(zhuǎn)化中心,，“基于新型氮化物發(fā)光材料的LED器件關(guān)鍵技術(shù)研究及產(chǎn)業(yè)化”,，40.8萬(wàn)，主持,；

[3] 2019 廣東高?？萍汲晒D(zhuǎn)化中心，“用于驅(qū)動(dòng)新型高分辨率顯示的薄膜晶體管研究”,，5萬(wàn),，主持；

[4] 2018 國(guó)家自然科學(xué)基金委,，“有機(jī)自組裝分子修飾的高穩(wěn)定性柔性氧化物薄膜晶體管研究”,，24萬(wàn)，主持,；

[5] 2018廣東省自然科學(xué)基金—博士啟動(dòng)“超柔,、超薄自組裝分子修飾的柔性氧化物薄膜晶體管研究”, 10萬(wàn)，主持,；

[6] 2017 佛山市科技局,，“佛山市新型光電技術(shù)專利聯(lián)盟建設(shè)”，20萬(wàn),，主持,；

[7] 2017 佛山科學(xué)技術(shù)學(xué)院高層次人才科研啟動(dòng)項(xiàng)目，“用于AMOLED顯示的高遷移率薄膜晶體管的無(wú)銦有源材料研究”,，20萬(wàn),，主持。