近期,佛山大學(xué)聯(lián)合華南理工大學(xué)、寧夏大學(xué)、香港中文大學(xué)和清華大學(xué)在中科院一區(qū)期刊Chemical
Engineering Journal (IF= 13.3)上在線發(fā)表了題為 “Introducing Electron-Rich Thiophene Bridges in Hot Exciton Emitter
for Efficient Non-Doped Near-Infrared OLEDs with Low Turn-On Voltages” 的研究論文。該工作以佛山大學(xué)為第一單位,材料與能源學(xué)院江如明博士為第一通訊,寧夏大學(xué)馬海軍教授和華南理工大學(xué)趙祖金教授為共同通訊。
開發(fā)具有高光致發(fā)光量子產(chǎn)率的聚集態(tài)近紅外發(fā)光材料對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效的非摻雜OLEDs具有重要意義,但仍然面臨巨大的挑戰(zhàn)。為此,江如明等人提出了一種在電子受體和給體之間引入富電子噻吩基團(tuán)的設(shè)計(jì)策略,用于構(gòu)建高效的近紅外發(fā)光材料,并合成一類具有D-π-A-π-D結(jié)構(gòu)的發(fā)光分子TPATBT。 光物理研究和密度泛函理論分析表明,TPATBT是一種具有雜化局域和電荷轉(zhuǎn)移態(tài)特征的熱激子發(fā)光分子。此外,TPATBT 也表現(xiàn)出聚集誘導(dǎo)發(fā)光特性,在純膜中實(shí)現(xiàn)了692 nm的最大發(fā)光波長(zhǎng)和20%的發(fā)光效率,并具有較高的熱穩(wěn)定性。基于 TPATBT 純膜的非摻雜近紅外器件實(shí)現(xiàn)了1.22%的最大外量子效率,電致發(fā)光峰位于 718 nm。此外,該研究首次嘗試使用層間敏化策略來敏化非摻雜器件,在 3.2 V的低開啟電壓下實(shí)現(xiàn)了更高的最大外量子效率,達(dá)到 1.34%。該研究為開發(fā)高效近紅外發(fā)光材料提供了新思路。
該學(xué)院的樊婷教授、余明光教授和大三本科生龍嘉威等人為該工作提供支持和幫助。該工作得到了佛山大學(xué)高層次人才科研啟動(dòng)項(xiàng)目和廣東省教育廳高等院校青年創(chuàng)新人才項(xiàng)目等支持。
稿件來源:材料與能源學(xué)院
通訊員:江如明
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